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BGO鍺酸鉍晶體

簡(jiǎn)要描述:BGO鍺酸鉍晶體:光折變效應(yīng)是局部折射率通過光強(qiáng)度的空間變化而改變的現(xiàn)象。當(dāng)形成空間變化的照明圖案的光折射材料中,相干光彼此干涉時(shí),可強(qiáng)烈觀察到。

  • 產(chǎn)品型號(hào):LISe
  • 更新時(shí)間:2024-08-06
  • 訪  問  量:952

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

品牌其他品牌供貨周期兩周
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,電子

詳細(xì)介紹

光折變晶體:BGO鍺酸鉍晶體

光折變晶體:SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體

     光折變效應(yīng)是局部折射率通過光強(qiáng)度的空間變化而改變的現(xiàn)象。當(dāng)形成空間變化的照明圖案的光折射材料中,相干光彼此干涉時(shí),可強(qiáng)烈觀察到。這是由于漂移或擴(kuò)散和空間電荷分離效應(yīng),在遷移材料中產(chǎn)生電荷載流子。產(chǎn)生的所產(chǎn)生的電場(chǎng)通過電光效應(yīng)引起折射率變化。其中一些應(yīng)用是空間光調(diào)制器,4波混頻,相位共軛,光存儲(chǔ)器和計(jì)算。

     Sillenite單晶Bi12SiO20(BSO)和Bi12GeO20(BGO)顯示了不同物理性質(zhì)的組合。BSO和BGO晶體是非常有效的光電導(dǎo)體,具有低暗電導(dǎo)率,允許建立大的光誘導(dǎo)空間電荷。光電導(dǎo)性和光電特性的強(qiáng)烈光譜依賴性允許開發(fā)和生產(chǎn)各種各樣的光學(xué)器件和系統(tǒng)。BSO和BGO晶體用于空間光調(diào)制器,動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)全息記錄設(shè)備,相位共軛波混合,光學(xué)相關(guān)器和光學(xué)激光系統(tǒng),用于超短光脈沖的自適應(yīng)校正。光誘導(dǎo)吸收使其有可能開發(fā)和生產(chǎn)“光  - 光"型光學(xué)器件,如光學(xué)調(diào)制器,開關(guān)等。   通過不同技術(shù)制造氧化亞錫薄膜晶體結(jié)構(gòu)允許開發(fā)包括光學(xué)波導(dǎo),集成光學(xué)器件的多種裝置?;赟illenites的波導(dǎo)光學(xué)結(jié)構(gòu)的使用允許在寬光譜范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)均勻照射(通常到波導(dǎo)平面)。

                     

BGO                                       SBN


光折變晶體:SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體

晶體

Bi 12 SiO 20(BSO)  

Bi 12 GeO 20(BGO)  

Fe:LiNbO 3  

SBN  x = 0.60  

SBN  x = 0.75  

晶體結(jié)構(gòu)  

立方,點(diǎn)組:23  

立方,點(diǎn)組:23  

三角形,3m  

4mm  

4mm  

晶格(胞)參數(shù),?  

10.10  

10.15  

-  

a  = 12.46,c = 3.946

a  = 12.43024,c = 3.91341

透射范圍,μm  

0.4-6  

0.4-7  

  0.35  - 5.5

0.3  5 - 6.0

0.35  - 6.0

折射率在0.63μm  

2.54  

2.55  

2.20(ne),2.29(no)  

e  =  2.33,n o  = 2.36  @0.51μm

e  =  2.35,n o  = 2.37  @0.51μm

電光系數(shù)r41,pm  / V  

5  

3.5  

r22  = 6.8,r31 = 10,r33 = 32

13 =  47,r 33 = 235

13 =  67,r 33 = 1340

光學(xué)活性,500納米處的deg  / mm  

42  

41.5  

-  

-  

-  

在600nm處為  - deg / mm  

25  

24  

-  

-  

-  

密度,g /  cm 3  

9.15  

9.2  

4.64  

5.4  

5.4  

莫氏硬度  

5  

5  

5  

5.5  

5.5  

熔點(diǎn),C  

890  

920  

1255(Tc  = 1140)

1500±10°C  

1500±10°C  

介電常數(shù)  

56  

40  

85(e11)30(e33)  

880  

3400  

暗電阻,歐姆厘米  

10 14

10 14

-  

-  

   -

吸收系數(shù)@0.44μm  

-  

-  

-  

   0.3cm -1

-   

在25°C時(shí)的熱導(dǎo)率  

-  

-  

-  


0.006  W / cm * K

@  1370至1470℃下  

-  

-  

-  

-  

0.008  W / cm * K

熱光系數(shù)dn e /  dT  

-  

-  

-  

3×10 -4 K -1

-  

居里溫度  

-  

-  

-  

75℃  

56℃  

半波電壓  

-  

-  

-  

240伏  

48  V

我們可提供棒或薄片,由具有不同橫截面和尺寸的薄膜光折射晶體制成。不同濃度的不同摻雜劑可滿足特定客戶的要求。


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